mosfet可以說是最常見的電晶體，幾乎不需要通過輸入電流來控制負載電流。
mosfet多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強型和耗盡型。
然後這兩種類型可以用作n溝道或者p溝道。
mosfet是平面電晶體，而胡正明發明的finfet架構則是3d的電晶體，3d電晶體能夠克服電晶體本身可能遭遇的短溝道效應。
簡單來說finfet能以更低的成本實現更高的性能指標。finfet的設計主要為突破25nm製程，解決mosfet由於製程縮小伴隨的隧穿效應。
當然從finfet這個架構2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台積電作為首席專家，台積電在2002年12月才拿出第一個真正意義上的finfet電晶體。
而一直到了2012年商用22nm的finfet架構的電晶體才面世。
這是一個非常漫長的過程。
周新要講的是mosfet架構的某一種優化。
帶有些許的finfet架構思想在其中。
但是順著這條路去思考，反而會走上彎路。
「......我們可以發現當一端沒有電壓時，通道會顯示最大電導。當兩端電壓同為正或同為負的時候，通道的電導率會降低。
我們嘗試關閉不導通的區域，讓mosfet在該區域工作的時候，把歐姆區作為放大器。
在飽和區mosfet的i ds是恆定的，儘管v ds增加並且一旦v ds超過夾斷電壓v p的值就會發生。
在這種情況下，該設備將像一個閉合的開關一樣工作，飽和的i ds值流過該開關。
因此，無論何時需要 mosfet執行開關操作，都會選擇該工作區域......
這樣一來我們就能夠讓mosfet在較低電壓下以更高效率運行。」
周新的論文講完後台下響起了禮貌的掌聲。
因為周新的內容是純粹的模型，也就是從理論層面講述一個更加優秀的mosfet架構，而缺乏實驗數據。
很多東西模型設計的很完美，不代表在實驗室復刻出來真的有這麼完美。
現實世界是無法像理論推演一樣完美的。
不過單純從內容上來說，周新的mosfet架構給了在場的研究人員們很多思考。
後續一些關於論文本身內容的提問，周新也回答的挑不出任何毛病。
在提問環節結束後，在場的掌聲要真誠很多。
論文本身能夠證明一部分，提問環節能夠進一步驗證周新自身的實力。
大家都是研究人員，財富和資產只是附加項，你本身在科研方面的實力才會讓在場的研究人員們產生親近的情緒。
這小子和我們是一路人。
「非常不錯，如果你不是我的學生，我會以為你是來開過很多次的老手。
你表現得很成熟，以後多來幾次基本上大家都熟悉你了，後續你想做點什麼，認識這幫人對伱來說很有好處。
也許他們不會跟你回華國，但是你可以把研發中心設在矽谷或者歐羅巴。
這對你來說再簡單不過了。」胡正明在台下等周新下來之後邊鼓掌邊用中文說道。
「後續我會帶你挨個去認識，我覺得在集成電路領域研究方向比較有前景的一些科研人員。
你現在是不是還想回華國搞集成電路領域的創業？」胡正明接著問道。
人的觀念是不停在變的。
周新在阿美利肯已經實現了財富自由，胡正明擔心對方想法變了，所以特意多問了一句。
周新點頭道：「是的，華國在集成電路領域太落後了。
我還是想回去培養一批人才。
根據我的觀察，國外半導體領域的巨頭們在華國成立的分公司很少。
即便有分公司，成立的分公司也是做一些組裝、封測相對低端且沒有技術含量的工作。」
「以英特爾為例
