測試廣告1說實在的，哪怕是到了今日，秦元清扶持華芯科技，可是在涉及集成電路高端製造領域，華夏與西方國家依舊有著不小的差距。讀字閣 m.duzige.com
別的不說，單單阿斯麥公司的極紫外光刻機（euv），匯聚了所有西方國家最頂尖的製造技術，堪稱人類有史以來最緊密的工業品。
與航空發動機一起，成為工業製造皇冠上的一顆明珠。
秦元清也有完整的極紫外光刻機製造技術，但是他沒有兌換，因為實際上現在不怎麼需要，光光7納米、5納米製程工藝，就需要華芯科技好好吸收一陣子了。
秦元清也不得不承認，在矽基集成電路時代，西方國家有著巨大的先發優勢，華夏很難在這一領域與西方國家展開競爭。在軍事應用上還好，放著技術專利管不到軍事設備，但是在民用方面，就會受到專利的約束。
這麼多年下來，西方國家那些企業可是充分詮釋了什麼叫作『專利流氓』，專利壁壘不是開玩笑的。
這也是為什麼，華夏率先掌握5g技術，然後世界就轟動了，實在是3g時代的紅利還沒有吃完，4g時代的紅利才剛剛開始吃，都還沒有吃飽，結果你華威掌握5g技術，這不是砸人家飯碗麼。
更可惡的是，5g技術一突破，華夏已經在建設5g基站，這速度實在是太快了。
所以才鬧得沸沸揚揚。
秦元清承認，矽基晶片製程上的差距，讓華夏很難在短時間內追上西方發達國家，哪怕追上了也稱不上彎道超車。但矽基領域沒辦法彎道超車，並不意味著沒有另闢蹊徑的辦法。
碳納米管被科學家們寄予了厚望！
這與其本身的特性息息相關。首先，碳納米管晶片身量雖小，但節能增效能力卻更加強大，碳納米管是由單層碳原子捲成管狀的碳材料，導電性能極好，而且碳元素在地球上的儲量十分豐富。
碳納米管的直徑可以根據工藝的不同製成幾納米到幾十納米長；管壁厚度更小，根據壁層碳原子數量不同，碳納米管可以分為單壁碳納米管和多壁碳納米管；在同樣集成度的情況下，碳納米管晶片比矽元器件體積更小。
同時，碳納米管的韌性極高，可以承受彎曲、拉伸等應力，電信號傳輸過程的延遲很短，所以，從材料物理屬性上看，碳納米管具有替代矽晶片的潛力。
其次，碳材料具有多種同素異形體，除了碳納米管以外，還有人們熟知的金剛石、石墨、富勒烯、活性炭等等。
其導電性質強烈地依賴於結構，可以由絕緣體轉變為半導體、由半導體變為導體。而且，它的導電方式和原理與傳統的電晶體不一樣，有更強的傳導能力。
另外，現有的電晶體在導電過程中無可避免地會產生漏電流，漏電會導致發熱，而碳納米管可以避免這一問題，故而能效相對較高。
從理論上講，碳納米管晶片的能量利用率有望超過現有晶片的能效比（60至70）。
發熱問題的解決也給晶片的散熱降低了壓力，矽電晶體的功耗很大，在小小的晶片空間內，發熱極其嚴重，為了不使晶片過熱無法工作，還需要分配部分的功耗用於晶片的散熱，這使得矽電晶體功耗增大。
而碳納米管晶片本身產熱就少，加上碳納米管本身的熱導率很高，有效地減少了用於散熱的能耗，所以碳納米管的能效會遠遠高於以矽為材料的電晶體。
世界範圍內，最早實現碳納米管器件製備的是ib，其在2014年成功製備出碳納米管20n柵長器件，不過，該器件性能比預期差很多。
近年來，也有國外的各類實驗室號稱製備出1n柵長的碳納米管器件，但更多的只是噱頭，實際使用性能很差。
秦元清選中了碳基晶片這個方向後，開始帶領碳納米管器件的研究，然後一大批研究人員就體會到，有大佬親自帶路的便捷性和速度，研發快得一塌糊塗，一遇到瓶頸和難點，就有秦元清親自上馬解決，短短時間內就完成超高純度電子級碳納米管量產製備，隨後團隊便開始在高性能碳納米管（os互補金屬氧化物半導體）電晶體的無摻雜製備、電晶體的極性控制方面進行深入研究。
